O armazenamento eUFS 3.0 já era considerado extremamente rápido quebrando facilmente a barreira dos 300 MegaBytes por segundo em atividades de escrita sequencial, por exemplo. A nova versão da memória flash é chamada de eUFS 3.1 e quebra a barreira de 1 GigaByte por segundo em escrita sequencial.

Além da grande evolução de velocidade se comparada a versão anterior, a Samsung começa a produzir em massa desde já o novo tipo de unidade de memória que deve aparecer nos seus próximos Flagships.

Samsung Galaxy Note 8
Samsung Galaxy Note 8

Em termos de utilização isso quer dizer que os usuários poderão começar a gravar vídeos em resolução 8K sem nenhum tipo de Buffer, algo que agora pode parecer totalmente fora da realidade mas em alguns anos será o padrão de qualquer smartphone.

Outro aspecto de uso cotidiano é o tempo de transferência de arquivos para o celular. No padrão antigo para passar 100GB do computador para o celular a demora acima dos quatro minutos enquanto que nos novos Chips eUFS 3.1 o tempo para a mesma operação baixa da marca dos dois minutos, ou seja, menos da metade.

A boa notícia é que a empresa não irá oferecer chips de somente 512GB, também haverão modelos de 128GB e 256GB também, o que ajuda a manter o preço dos celulares um pouco mais baixo.

Samsung Galaxy Note 8
Samsung Galaxy Note 8

Quando falamos de dados técnicos, a nova unidade bate os 1200MB/s de escrita sequencial, bem acima do padrão Sata de SSDs que gira em torno dos 550MB/s e de longe muito mais eficiente que os cartões SD UHS-I, que gravam em 90MB/s. Quando falamos de IOPS, temos 100.000 em leitura e 70.000 em gravação, cerca de 60% a mais do que o modelo antigo.

Infelizmente, a Samsung ainda não deu uma previsão completa de quando os smartphones com a nova tecnologia irão chegar ao mercado geral.