Rumores: Snapdragon 835 poderá chegar a 2.45GHz

O Snapdragon possui uma importante evolução no processo de fabricação, com transistores que foram reduzidos para 10 nanômetros.

Por | @oficinadanet Tecnologia

A CES irá acontecer em breve, e com a sua proximidade, vários rumores começam a circular sobre o futuro SoC (system-on-a-chip, sistema em um chip) da Qualcomm, o Snapdragon 835. O novo chip virá equipado com oito núcleos Kyro 280, dizem os rumores. Quatro deles poderiam alcançar até 2.45GHz.

O Snapdragon possui uma importante evolução no processo de fabricação, com transistores que foram reduzidos para 10 nanômetros. Ele apresenta uma maior eficiência energética, igualmente ocorre em chips com litografias menores. Ele também possui mais espaço para outros componentes dentro do die, já que possui uma menor área ocupada pelos núcleos da CPU.

Rumores: Snapdragon 835 poderá chegar a 2.45GHz

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Sem contar com os quatro núcleos mais potentes, os outros quatro núcleos devem operar em até 1.9GHz e serão responsáveis por executar as funções de processadores nos momentos em que o Snapdragon 835 estiver economizando energia. Além da CPU, os novos chips devem trazer uma nova unidade de processamento gráfico (GPU) Adreno 530, com 25% mais performance que a versão antecessora.

Com a proximidade da CES, é bastante provável que teremos o lançamento oficial do novo SoC, deste modo, será revelado os novos recursos do chip da Qualcomm.

O próximo processador da Qualcomm, o Snapdragon 835, deverá alimentar alguns dos próximos smartphones, como o Samsung Galaxy S8 e o Xiaomi Mi 6.

Confira os novos recursos que deverão estar presentes no novo chip, conforme os rumores:

  • Gigabit-classe LTE modem Snapdragon x16 LTE
  • Câmeras com zoom suave, autofoco rápido
  • Aparelhos mais finos, com bateria menor
  • Melhor duração de bateria
  • Suporte a reprodução de vídeo de 10 bits, 4 K, 60 quadros por segundo e gráficos OpenGL ES, Vulkan e DirectX 12, e ainda vídeo HEVC

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